入野 清 | 株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

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概要

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• 株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部の論文著者

関連著者

• ピディン セルゲイ

  富士通(株)次世代lsi開発事業部

• 入野 清

  株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

• 森崎 祐輔

  富士通研究所 デバイス開発部

• 中村 友二

  富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通研究所

• ピディン S.

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 入野 清

  富士通研究所

• ピディン セルゲイ

  富士通研究所 デバイス開発部

• 杉井 寿博

  富士通研究所 デバイス開発部

• 中村 友二

  富士通研究所 デバイス開発部

• 森崎 祐輔

  株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 青山 敬幸

  株式会社富士通研究所

• 杉田 義博

  株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

• Pidin Sergey

  株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

• ピディン セルゲイ

  株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

• 杉田 義博

  株式会社富士通研究所

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著作論文

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• 低待機時消費電力、90-nm、Hf02ゲート絶縁膜 MOSFET
• HfO_2ゲート絶縁膜特性の前処理依存性
• 低待機時消費電力,90-nm,HfO2ゲート絶縁膜MOSFET

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