伊藤 隆司 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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伊藤 隆司
富士通研究所
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伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
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伊藤 隆司
(株)富士通研究所
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伊藤 隆司
東京工大 ソリューション研究機構
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
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森田 瑞穂
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科
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黒木 伸一郎
東北大学工学研究科電子工学専攻
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藤井 俊太朗
東北大学大学院工学研究科
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
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杉野 林志
スパンション株式会社:東北大学大学院工学研究科
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
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坂井 靖文
東北大学大学院工学研究科
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Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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渡辺 悟
富士通研究所
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宮武 久和
シャープ株式会社 電子デバイス開発本部
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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谷 クン
東北大学工学研究科電子工学専攻
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根本 剛直
東北大学未来科学技術共同研究センター
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伊藤 隆司
東北大学工学研究科電子工学専攻
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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加藤 寿
東京エレクトロンat 東京エレクトロン
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杉田 義博
(株)富士通研究所
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宮本 直人
東北大学未来科学技術共同研究センター
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KIM Unsoon
スパンション株式会社
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MIN Kyunghoon
スパンション株式会社
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CHENG Ning
スパンション株式会社
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WU Huaqiang
スパンション株式会社
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LEE Chungho
スパンション株式会社
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CHEUNG Fred
スパンション株式会社
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上西 雅彦
東京エレクトロンAT,東京エレクトロン
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多田 新吾
東京エレクトロンAT,東京エレクトロン
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渡辺 悟
富士通厚木研
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中山 範明
富士通厚木研
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伊藤 隆司
富士通厚木研
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佐々木 敦史
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Kinoshita Hiro
スパンション株式会社
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多胡 紀一郎
東北大学大学院工学研究科
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新井 宏明
東北大学大学院工学研究科
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藤澤 久典
株式会社富士通研究所
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有本 由弘
富士通研
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
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杉本 文利
富士通株式会社
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中山 範明
富士通研究所
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有本 由弘
富士通研究所
-
上西 雅彦
東京エレクトロンat 東京エレクトロン
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多田 新吾
東京エレクトロンat 東京エレクトロン
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杉本 文利
富士通研究所ULSIプロセス研究部
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宮本 直人
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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有本 由弘
(株)富士通研究所
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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渡辺 高行
宇部マテリアルズ（株）
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大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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石川 拓
東京エレクトロン技術研究所(株):東北大学大学院工学研究科
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山崎 辰也
富士通・半導体プロセス開発部
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山崎 辰也
(株)富士通研究所
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平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
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鈴木 克昌
大陽日酸株式会社
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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石原 良夫
大陽日酸株式会社
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迫田 薫
大陽日酸株式会社
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白井 泰雪
東北大学未来科学技術共同研究センター
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杉井 寿博
富士通研究所
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Philipossian Ara
University of Arizona
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Sampurno Yasa
University of Arizona
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Cheng Jiang
Araca, Inc.
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Zhuang Yun
University of Arizona
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野沢 俊久
東京エレクトロン技術研究所(株)
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松岡 孝明
東京エレクトロン技術研究所(株)
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奈良 安雄
富士通研究所
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杉野 林志
スパンション株式会社
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KINOSHITA Hiroyuki
スパンション株式会社
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Kim Unsoon
SPANSION Inc.
-
Min Kyunghoon
SPANSION Inc.
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Cheng Ning
SPANSION Inc.
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Wu Huaqiang
SPANSION Inc.
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Lee Chungho
SPANSION Inc.
-
Cheung Fred
SPANSION Inc.
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Kinoshita Hiro
SPANSION Inc.
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伊藤 隆司
富士通(株)
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杉野 林志
富士通(株)
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石川 健治
(株)富士通研究所
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杉野 林志
株式会社富士通研究所
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奥井 芳子
株式会社富士通研究所
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滋野 真弓
株式会社富士通研究所
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大久保 聡
株式会社富士通研究所
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高崎 金剛
株式会社富士通研究所
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伊藤 隆司
株式会社富士通研究所
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沼田 雅之
東北大学大学院工学研究科
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阿部 俊幸
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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田主 裕一朗
東北大学国際高等融合領域研究所
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越本 洋平
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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春山 健
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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大久保 聡
富士通研究所
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高崎 金剛
富士通研究所
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Teramoto A
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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中島 安理
富士通厚木研
-
板倉 徹
富士通厚木研
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川崎 雄也
東北大学大学院工学研究科
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伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構
-
Zhuang Yun
University Of Arizona:araca Inc.
-
Cheng Jiang
Araca Inc.
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
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Sampurno Yasa
University Of Arizona:araca Inc.
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堀江 博
(株)富士通研究所
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青山 敬幸
富士通研究所
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山崎 辰也
富士通研究所
-
堀内 敬
富士通研究所
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杉田 義博
富士通研究所株式会社
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杉田 義博
富士通研究所
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渡辺 高行
宇部マテリアルズ株式会社
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渡辺 高行
宇部マテリアルズ(株)
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白井 泰雪
東北大未来科学技術共同研究センター
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加藤 隆
Fujitsu Limited
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Teramoto Akinobu
Tohoku Univ. Sendai Jpn
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Philipossian Ara
University Of Arizona:araca Inc.
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鉾 宏真
富士通研究所ulsiプロセス研究部
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石川 健治
富士通研究所
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石川 健治
富士通研究所(株)ファブテクノロジ研究部
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杉野 林志
SPANSION Inc.
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青山 敬幸
株式会社富士通研究所:(現)selete
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堀江 博
富士通研究所、ULSIプロセス研究部
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石原 良夫
大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通
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奈良 安雄
(株)富士通研究所
著作論文
- ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 水酸基終端シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 高精度CMP終点検出方法の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 光エピタキシャル成長法によるSiバイポ-ラトランジスタの極薄ベ-ス層の形成
- フッ素固定式パーフルオロ化合物(PFCs)除害システム
- 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
- 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択、ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング
- ドライ洗浄技術 : 半導体製造(生活の基本,そして製造・生産に必須の技術 : 洗う技術)
- UV/Cl_2ドライクリーニングメカニズム : 表面Fe汚染除去におけるSiCl_4の効果
- UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路(RFID技術,システムオンシリコン,RFID技術及び一般)
- エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化(プロセス科学と新プロセス技術)
- C-10-24 微細n型SOI-MESFETの電流電圧特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-12-14 インバータアンプによる電荷積分回路を用いたFeRAMの読み出し安定化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-49 ラダーモデルによるガラス基板上インダクタの高精度モデリング(C-12.集積回路,一般セッション)
- 機械的歪み印加によるSrTiO_3MIMキャパシタ誘電率変調(プロセス科学と新プロセス技術)
- B-20-11 UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路(B-20.ユビキタス・センサネットワーク,一般講演)
- RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- RF-ID向け Dickson Charge Pump 整流回路における接合容量効果
- 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化,AWAD2006)
- 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化
- 29p-X-12 溶液酸化した多孔質シリコンのフォト・ルミネッセンス
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ(デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ(デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 2p-PSA-41 赤外全反射減衰分光法によるシリコン溶液界面のその場観察
- 29p-PS-16 純水中で形成された微斜H/Si(111)面上でのステップ構造
- ドライ洗浄の現状と将来展望
- 極薄Si直接窒化・酸化ゲート絶縁膜の評価
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善,AWAD2006)
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長,AWAD2006)
- 光励起ドライ洗浄 (Si表面の洗浄工程の見直しと新しい試み(技術ノ-ト))
- Siの熱窒化膜 (酸化・窒化薄膜(技術ノ-ト))
- 光刺激脱離によるSi上の酸化物の低温除去とSiホモエピタキシー
- 熱酸化シリコンの照射損傷による構造変化
- pH制御選択研磨による超薄膜SOI基板の作製
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善
- 高誘電率絶縁膜 (ULSIを支える材料とプロセス技術)
- プラズマCVDと光CVD (半導体プロセスと電気化学-1-)
- シリコンの酸化および窒化プロセスと特性制御
- 酸化膜CMPにおけるウエハ温度のin situモニタリング
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長
- 20年前と違うところ
- 第26回超LSIウルトラクリ-ンテクノロジ-シンポジウム