RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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RF-ID(Radio-Frequency Identification)における整流回路の解析について、多くの解析に用いられる配線容量やwell-基板間容量などの基板容量のみを考慮した整流回路モデルに代わり、解析の精度を上げるため接合容量と基板容量を考慮した新たな整流回路モデルを用いた。また半波型整流回路において接合容量の影響がどの程度あるか定式化しその評価を行った。その結果修正整流回路モデルを用いて求めた整流回路の出力電圧は、典型的な値を用いた場合、回路シミュレーションによる結果に対して誤差0.31%で予想可能である事が確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-10
著者
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伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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坂井 靖文
東北大学大学院工学研究科
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森田 瑞穂
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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伊藤 隆司
(株)富士通研究所
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小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
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伊藤 隆司
富士通研究所
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伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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伊藤 隆司
東京工大 ソリューション研究機構
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