ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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ガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化のための新たな手法としてヒートガスアニール法を提案し実証した。ヒートガスアニール法は高温に加熱したガスを非晶質シリコン薄膜表面に吹き付けて結晶化させる手法で、高価な装置や真空チャンバが不要であるため低コスト化が可能なアニール法である。温度750-800℃、時間10秒から10分のヒートガスアニールによりガラス基板上の非晶質シリコン薄膜を結晶化し、ラマン測定によって結晶化した多結晶シリコン薄膜の結晶性を評価した。さらにAFM測定により多結晶シリコンのグレインサイズを評価し、ヒートガスアニール法による多結晶シリコン薄膜は炉アニールによるものと同サイズのグレインを持つことを示した。
- 2009-10-22
著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科
-
田主 裕一朗
東北大学国際高等融合領域研究所
-
河野 陽輔
東北大学大学院工学研究科
-
村 直美
株式会社フィルテック
-
山上 公久
株式会社フィルテック
-
古村 雄二
株式会社フィルテック
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
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