UV/Cl_2ドライクリーニングメカニズム : 表面Fe汚染除去におけるSiCl_4の効果
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概要
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紫外線照射下で生成する塩素ラジカルを用いてSi表面のFe汚染を除去するUV/Cl_2ドライ洗浄において, 表面のFe除去に直接かかわる反応種は, ClラジカルによるSiのエッチングで生じるSiCl_x(x=1-4)であると推察される. SiCl_4を主なドライ洗浄ガスとして用いることでSi, SiO_2ともに清浄化され, 表面選択性のないドライ洗浄が可能となった. Cl_2+SiCl_4の混合ドライ洗浄ガスを用いることで, Si表面は高い洗浄効果が得られ, 洗浄後の表面平坦性も維持された. SiCl_4とFe_2O_3を直接反応させた結果は, ウエハ表面におけるSiCl_4のドライ洗浄ガスとしての優位性を支持する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-25
著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
杉野 林志
株式会社富士通研究所
-
奥井 芳子
株式会社富士通研究所
-
滋野 真弓
株式会社富士通研究所
-
大久保 聡
株式会社富士通研究所
-
高崎 金剛
株式会社富士通研究所
-
伊藤 隆司
株式会社富士通研究所
-
大久保 聡
富士通研究所
-
高崎 金剛
富士通研究所
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
杉野 林志
スパンション株式会社:東北大学大学院工学研究科
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