VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善,AWAD2006)
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概要
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ArFレジストパターンにN2雰囲気でVUV光(波長172nm)を照射することで130nm L&Sレジストパターンのドライエッチ耐性を向上させることを試みた。VUV光を照射するとレジストの膜厚が30%程度減少し、C=O結合の減少が見られる。線幅も縮小する。しかし、VUVキュアーの効果としては、VUVキュアー無しの場合に比べて、ドライエッチングでの表面荒れが6.2nm rmsから1.9nm rmsになり、測長SEMでの電子線照射による線幅縮小は9nmから2nmに大きく改善された。またLER(Line Edge Roughness)もキュアー無しの場合8.4nmであるところが6.5nmに抑制された。SiN膜のドライエッチングパターンは矩形に近い形状を示し、LERもレジストと同じ値を示した。このことから、VUVキュアーはArFレジストパターンの改善に有効な手段であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
宮武 久和
シャープ株式会社 電子デバイス開発本部
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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