SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性(プロセス科学と新プロセス技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
微細Si-MESFETについてシミュレーションを行い、新しいゲート構造によるゲートリーク電流の低減と、ダブルゲート構造によるドレインリーク電流の低減が可能であることを明らかにした。プレーナ型MESFETでは、微細化を行うとゲート電極とソース・ドレイン領域間で発生するトンネル電流によりゲートリーク電流が増大する。トンネル電流を減少させるためにゲート電極をソース・ドレイン電極より高くしたMESFETによってゲートリーク電流を低減した。また、ダブルゲート構造による2つの電極からの空乏層の重なりにより、ドレインリーク電流を低減した。
- 2009-10-22
著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科
-
阿部 俊幸
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
田主 裕一朗
東北大学国際高等融合領域研究所
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
関連論文
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ (集積回路)
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ (電子部品・材料)
- 水酸基終端シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ
- フッ素固定式パーフルオロ化合物(PFCs)除害システム
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューテイング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- リアルタイムオブジェクト分離を行う高機能CMOSイメージセンサ
- リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ
- 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
- 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択、ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング
- ドライ洗浄技術 : 半導体製造(生活の基本,そして製造・生産に必須の技術 : 洗う技術)
- UV/Cl_2ドライクリーニングメカニズム : 表面Fe汚染除去におけるSiCl_4の効果
- 29p-BPS-32 純水中で形成されるSi(111):SiH表面
- UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路(RFID技術,システムオンシリコン,RFID技術及び一般)
- エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化(プロセス科学と新プロセス技術)
- C-10-24 微細n型SOI-MESFETの電流電圧特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-12-14 インバータアンプによる電荷積分回路を用いたFeRAMの読み出し安定化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-49 ラダーモデルによるガラス基板上インダクタの高精度モデリング(C-12.集積回路,一般セッション)
- 機械的歪み印加によるSrTiO_3MIMキャパシタ誘電率変調(プロセス科学と新プロセス技術)
- B-20-11 UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路(B-20.ユビキタス・センサネットワーク,一般講演)
- RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- RF-ID向け Dickson Charge Pump 整流回路における接合容量効果
- ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化(プロセス科学と新プロセス技術)
- 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化,AWAD2006)
- 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ(デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ(デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 分離度フィルタとVQヒストグラム法によるカラー画像から目の検出(テーマセッション, 顔・ジェスチャーの認識・理解)
- 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 3116 人間の手助けとなる機能を有するロボット IRIS の開発
- Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- 連想するハードウェアをべースとした"しなやかな"知的電子システム
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善,AWAD2006)
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長,AWAD2006)
- 光刺激脱離によるSi上の酸化物の低温除去とSiホモエピタキシー
- 熱酸化シリコンの照射損傷による構造変化
- PELOC : 動的再構成FPGA用自動配置配線ツール : フレキシブルプロセッサへの応用(設計手法とシステムソフトウェア)
- 列並列演算器を備えたリアルタイムオブジェクト抽出を行なう高機能高画質CMOSイメージセンサ
- 画像圧縮用ベクトル量子化プロセッサ
- ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
- ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
- ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
- 差分量子化によるヒストグラム特徴を用いた映像の高速探索(画像信号処理及び一般)
- VQ-SIFTを用いた物体認識ためのロバストな局所画像記述子(画像信号処理及び一般)
- 差分量子化によるヒストグラム特徴を用いた映像の高速探索(画像信号処理及び一般)
- VQ-SIFTを用いた物体認識ためのロバストな局所画像記述子(画像信号処理及び一般)
- 隣接画素差分量子化による顔認識(テーマセッション, 顔・ジェスチャーの認識・理解)
- pH制御選択研磨による超薄膜SOI基板の作製
- 高品質画像実時間伝送を実現する誤差判定適応解像度ベクトル量子化技術
- フレキシブルプロセッサ : パーソナルユースHWエミュレータ向け動的再構成可能ロジックアレイ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- フレキシブルプロセッサ : パーソナルユースHWエミュレータ向け動的再構成可能ロジックアレイ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 適応解像度ベクトル量子化技術におけるコードブックの理論的作成手法
- 動的再構成LSI向け省回路構成情報量細粒度プログラマブル論理素子に関する研究 : フレキシブルプロセッサ用プログラマブル論理素子(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発
- 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発
- 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発(FPGAとその応用及び一般)
- テクノロジー 画像ノイズを抑制する適応解像度ベクトル量子化技術
- 5-8 線ベクトル量子化によるHMMの顔認識の適用
- 知能集積回路 : 瞬時応答を可能にするビットフロー型データフローパスミニマムプロセッサ
- 知能集積回路 : 瞬時応答を可能にするビットフロー型データフローパスミニマムプロセッサ
- SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性(プロセス科学と新プロセス技術)
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善
- クロック制御による高信頼性ニューロンMOS論理回路
- 自動しきい値調整機能を用いたクロック制御ニューロンMOS論理回路
- 酸化膜CMPにおけるウエハ温度のin situモニタリング
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長
- C-12-10 Abobe CMOSインダクタのための差分モデリング(C-12.集積回路,一般セッション)
- ホットウォール法によるc軸配向したInSe薄膜の作製
- ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)