pH制御選択研磨による超薄膜SOI基板の作製
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概要
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研磨剤と下地酸化膜との反応により研磨剤のpHが低下し、研磨速度が低下することを利用した新しい研磨技術を開発し,膜厚0.1±0.01μmの薄膜SOI層(Sillicon On Insulater)を得た。SOI基板上に下地酸化膜を露出させた溝を形成し,また研磨剤としてpHを中性寄りに制御したコロイダルシリカスラリを用いることにより,SOI膜厚が減少するに従い研磨速度を自動的に低下させた。酸化膜表面と研磨剤の反応による局所的なpHの低下によりコロイダルシリカの活性が低下し,研磨能力が落ちたためと考えられる。
- 1993-08-24
著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
有本 由弘
富士通研
-
堀江 博
(株)富士通研究所
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
杉本 文利
富士通株式会社
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
有本 由弘
富士通研究所
-
堀江 博
富士通研究所、ULSIプロセス研究部
-
杉本 文利
富士通研究所ULSIプロセス研究部
-
有本 由弘
(株)富士通研究所
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