フィールド酸化膜ストッパ型貼り合わせSOI基板の作製とMOSFETの評価
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概要
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将来のGbitDRAMや低消費電力ロジックLSIに要求される低消費電力、高速動作を実現するもっとも有力な解決策は薄膜SOI基板を用いることである。薄膜SOI基板の作成方法には、貼り合わせ法やSIMOX法が良く知られている。筆者らは、素子間分離工程を基板作成プロセスに取り込んだ、フィールド酸化膜を研磨ストッパに用いたSOI基板の作製について検討を行ってきた。今回、素子間分離方法の違いによるSOI島エッジ形状の違いがデバイス特性に与える影響を調査した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
伊藤 昭男
富士通研究所
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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有本 由弘
富士通研
-
堀江 博
(株)富士通研究所
-
佐々木 伸夫
富士通研究所、ulsiプロセス研究部
-
今井 雅彦
(株)富士通研究所
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伊藤 昭男
(株)富士通研究所
-
有本 由弘
(株)富士通研究所
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