CWラテラル結晶化(CLC)技術による移動度500cm^2/Vsを超える新低温ポリSi TFT技術(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
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概要
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ガラス基板を用いる低温ポリSi TFT用に,CW固体レーザを用いたCWラテラル結晶化という新しい結晶化技術を開発した.NMOSに対し,移動度は400〜600cm^2/Vsが得られ,ゲート酸化膜厚30nmで標準偏差60mVの小さなしきい値ばらつきが得られた.全体のプロセス温度は450℃以下である.また,同一ガラス基板上で,移動度566cm^2/VsのNMOS TFTに対して,PMOS TFT移動度200cm^2/Vsが得られ,ソース・ドレーン間リーク電流は,3fA/μmがNMOS及びPMOSともに得られた.結晶化スキャン速度の増加あるいは照射レーザパワーの減少を行い,単位面積当りの膜への照射パワーを減少させると,ポリSi膜は,単結晶領域が連続したフロー状の結晶パターンから結晶粒界で囲まれた粒状の結晶パターンへと変化し,移動度もエキシマ結晶化ポリSi膜に近づく.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-07-25
著者
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
-
原 明人
(株)富士通研究所
-
吉野 健一
(株)富士通研究所
-
竹内 文代
(株)富士通研究所
-
竹井 美智子
(株)富士通研究所
-
菅 勝行
(株)富士通研究所
-
千田 満
(株)富士通研究所
-
竹内 文代
富士通研
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