CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
エネルギー安定性の非常に高い半導体励起固体(DPSS)CWレーザ(Nd:YVO_4, 532nm, 10W)を利用して選択的にTFTチャネル領域を単結晶化する新しい結晶成長方法について報告する。本方法を利用してチャネル領域全域にわたって単結晶化することに成功した。単結晶化領域は幅8μm×長さ20μmである。450℃のプロセスを利用して300×300mm^2のガラス基板上にTFTを作製した結果、n-chでは、移動度が580cm^2/Vs、S-value 0.24V/dec、p-chの移動度は330cm^2/Vs、S-value 0.21V/dec、と単結晶Si-TFTに匹敵する移動度を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-07
著者
関連論文
- DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性
- 7a-U-4 p型反転層内の表面量子化による横方向電圧の発生
- 3a-R-3 イオン注入されたSiの不純物伝導
- 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
- 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
- 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
- CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- CWレーザー結晶化のディスプレイデバイスへの応用
- エキシマレーザアニールpoly-Si膜におけるレーザ照射雰囲気と照射回数が表面モフォロジーに与える影響(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- CWラテラル結晶化(CLC)技術による移動度500cm^2/Vsを超える新低温ポリSi TFT技術(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- SC-8-4 CWラテラル結晶化(CLC)技術によるガラス基板上高性能TFT
- レーザ結晶化法によるTFT用Si結晶の成長技術(バルク成長分科会特集 : 種結晶(核)からの結晶成長制御について)
- DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性
- エキシマレーザ結晶化ポリシリコンの移動度限界
- エキシマレーザ結晶化ポリシリコンの移動度限界
- エキシマレーザー結晶化により作成したポリシリコンの結晶因子とTFT特性の関係
- 30p-YC-4 As-Grown CZ Si結晶中の水素
- 24a-T-2 酸素, 炭素, 窒素が共存するSi結晶の性質
- 不純物を含む複合体欠陥 (Si結晶の評価技術(技術ノ-ト))
- 2p-F-5 CZ-Si結晶に形成されるNL10欠陥
- ソフトエラーシミュレーションシステム
- 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
- 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
- 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
- 低温ポリシリコンTFTを用いた高性能CMOS技術
- 低温ポリシリコンTFTを用いた高性能CMOS技術
- ガラス/Alメタル基板上のp-Si TFT特性
- ガラス/Alメタル基板上のp-Si TFT特性
- C-031 特定用途向け動的再構成回路の演算器精度最適化に関する研究(ハードウェア・アーキテクチャ,一般論文)
- フィールド酸化膜ストッパ型貼り合わせSOI基板の作製とMOSFETの評価
- 発光素子などで新たな応用展開期に入った導電性ポリマー (特集 機能性材料の開発・応用動向)