DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性
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概要
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エネルギー安定性の非常に高い半導体励起固体(DPSS)CWレーザ(Nd:YVO_4, 532nm, 10W)を利用してガラスに熱損傷を与えることなくTFTのチャネル領域を単結晶化する新しい結晶成長方法について報告する。本方法の特徴は、(1)チャネル領域を熱浴として作用する厚いシリコン膜で覆う(2)ネッキング構造をチャネル領域に付加する(3)チャネル領域に沿って、ネッキング領域側から結晶化させる(4)裏面からレーザ照射することである。本方法を利用してチャネル領域全域にわたって単結晶化することに成功した。単結晶化領域は幅2μm、長さ20μmである。450℃のプロセスを利用してガラス上にTFTを作成した結果、最高移動度410cm^2/Vs(平均移動度310cm^2/Vs), S-value 0.20V/dec、Vth=0.2Vが得られた。
- 2001-04-13
著者
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
-
原 明人
(株)富士通研究所
-
吉野 健一
(株)富士通研究所
-
竹内 文代
(株)富士通研究所
-
竹内 文代
富士通研
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