エキシマレーザアニールpoly-Si膜におけるレーザ照射雰囲気と照射回数が表面モフォロジーに与える影響(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
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概要
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エキシマレーザアニール法によってpoly-Si膜を形成する場合において,レーザの照射雰囲気と照射回数がpoly-Si膜の表面モフォロジーや結晶粒径に与える影響を調査した.その結果,照射雰囲気中の酸素分圧が大きい(>10^<-3>Torr)場合は,照射回数の増加と共に表面モフォロジーは増加し,酸素分圧が低い(<10^<-3>Torr)場合には,照射回数の増加と共表面粗さは減少することがわかった.また,同一の照射エネルギー及び照射回数で比較した場合には,酸素分圧が大きい場合の方が結晶粒径が大きくなることもわかった.このような変化には,レーザ照射によって雰囲気中の酸素とシリコンが反応してできた表面酸化膜が関与していると考えられる.また,表面粗さ及び結晶粒径の変化は,雰囲気中の酸素分圧が10^<-5>Torrでも飽和傾向が見られないため,エキシマレーザアニールpoly-Si膜の均一性を制御するためには,照射雰囲気中の酸素を制御することが重要である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-07-25
著者
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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原 明人
(株)富士通研究所
-
菅 勝行
(株)富士通研究所
-
千田 満
(株)富士通研究所
-
三島 康由
(株)富士通研究所
-
三島 康由
富士通
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