低温ポリシリコンTFTを用いた高性能CMOS技術
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概要
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300mm角ガラス基板上に450℃以下の低温でレーザ結晶化法により作製したポリシリコンTFTを用いたCMOS回路で良好な特性を得ることに成功した。チャネル長0.5μmの121段リングオシレータの伝搬遅延時間で0.18nsecを、またチャネル長1μmの40段シフトレジスタの最高動作周波数で133MHz(電源電圧5V)を得ることが出来た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-23
著者
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
-
竹内 文代
富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所 微細プロセス研究部
-
吉野 健一
(株)富士通研究所
-
竹内 文代
(株)富士通研究所
-
竹井 美智子
(株)富士通研究所
-
三島 康由
(株)富士通研究所
-
佐々木 伸夫
富士通研究所
-
竹井 美智子
富士通研究所
-
吉野 健一
富士通研究所
-
植松 達也
富士通研究所LCD研究部
-
三島 康由
富士通研究所LCD研究部
-
植村 達也
富士通研究所LCD研究部
-
三島 康由
富士通
-
竹内 文代
富士通研
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