佐々木 伸夫 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
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佐々木 伸夫
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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原 明人
(株)富士通研究所
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吉野 健一
(株)富士通研究所
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竹井 美智子
(株)富士通研究所
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竹内 文代
(株)富士通研究所
-
竹内 文代
富士通研
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佐々木 伸夫
富士通研究所
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三島 康由
(株)富士通研究所
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竹井 美智子
富士通研究所
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吉野 健一
富士通研究所
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三島 康由
富士通
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佐野 泰之
(株)富士通研究所
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菅 勝行
(株)富士通研究所
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千田 満
(株)富士通研究所
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三島 康由
富士通研究所LCD研究部
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土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
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竹内 文代
富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所 微細プロセス研究部
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佐々木 伸夫
富士通ic事業部
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Tsuchiya T
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn
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土屋 敏章
島根大学総合理工学部
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Tsuchiya T
Department Of Electronics Doshisha University
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Tsuchiya Toshiharu
Faculty Of Engineering Shizuoka University
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Tsuchiya Takenobu
Department Of Electrical Electronics And Information Engineering Kanagawa University
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原 明人
富士通研究所
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植村 達也
富士通研究所LCD研究部
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伊藤 昭男
富士通研究所
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有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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有本 由弘
富士通研
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菅 勝行
富士通研究所
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千田 満
富士通研究所
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堀江 博
(株)富士通研究所
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植松 達也
富士通研究所LCD研究部
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佐々木 伸夫
富士通研究所、ulsiプロセス研究部
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今井 雅彦
(株)富士通研究所
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伊藤 昭男
(株)富士通研究所
-
有本 由弘
(株)富士通研究所
著作論文
- DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性
- 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
- 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
- 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
- CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- CWレーザー結晶化のディスプレイデバイスへの応用
- エキシマレーザアニールpoly-Si膜におけるレーザ照射雰囲気と照射回数が表面モフォロジーに与える影響(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- CWラテラル結晶化(CLC)技術による移動度500cm^2/Vsを超える新低温ポリSi TFT技術(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- SC-8-4 CWラテラル結晶化(CLC)技術によるガラス基板上高性能TFT
- レーザ結晶化法によるTFT用Si結晶の成長技術(バルク成長分科会特集 : 種結晶(核)からの結晶成長制御について)
- DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性
- エキシマレーザ結晶化ポリシリコンの移動度限界
- エキシマレーザ結晶化ポリシリコンの移動度限界
- エキシマレーザー結晶化により作成したポリシリコンの結晶因子とTFT特性の関係
- 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
- 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
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- 低温ポリシリコンTFTを用いた高性能CMOS技術
- 低温ポリシリコンTFTを用いた高性能CMOS技術
- ガラス/Alメタル基板上のp-Si TFT特性
- ガラス/Alメタル基板上のp-Si TFT特性
- フィールド酸化膜ストッパ型貼り合わせSOI基板の作製とMOSFETの評価