竹内 文代 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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竹内 文代
(株)富士通研究所
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竹内 文代
富士通研
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佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
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吉野 健一
(株)富士通研究所
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(株)富士通研究所
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(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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(株)富士通研究所
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(株)富士通研究所
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(株)富士通研究所
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富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所 微細プロセス研究部
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(株)富士通研究所
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佐々木 伸夫
富士通研究所
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竹井 美智子
富士通研究所
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富士通研究所
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富士通研究所
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植村 達也
富士通研究所LCD研究部
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株式会社富士通研究所基盤技術研究所LCD研究部
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菅 勝行
株式会社富士通研究所基盤技術研究所LCD研究部
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竹内 文代
株式会社富士通研究所基盤技術研究所LCD研究部
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佐野 泰之
(株)富士通研究所
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原 明人
富士通研究所
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千田 満
富士通研究所
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植松 達也
富士通研究所LCD研究部
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三島 康由
株式会社 富士通研究所 基盤技術研究所LCD研究部
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菅 勝行
株式会社 富士通研究所 基盤技術研究所LCD研究部
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竹内 文代
株式会社 富士通研究所 基盤技術研究所LCD研究部
著作論文
- DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性
- 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
- 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
- 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
- CWレーザー結晶化のディスプレイデバイスへの応用
- CWラテラル結晶化(CLC)技術による移動度500cm^2/Vsを超える新低温ポリSi TFT技術(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- SC-8-4 CWラテラル結晶化(CLC)技術によるガラス基板上高性能TFT
- レーザ結晶化法によるTFT用Si結晶の成長技術(バルク成長分科会特集 : 種結晶(核)からの結晶成長制御について)
- DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性
- 低温ポリシリコンTFTを用いた高性能CMOS技術
- 低温ポリシリコンTFTを用いた高性能CMOS技術
- レーザアニールp-Si膜の特性評価
- レーザアニールp-Si膜の特性評価
- 12)レーザアニールp-Si膜の特性評価(〔情報センシング研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)(画像変換技術)
- レーザアニールp-Si膜の特性評価