金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
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概要
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ガラス基板上に550℃のプロセス温度で金属ゲート電極を有する自己整合ダブルゲート多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。結晶化には半導体励起固体(DPSS)連続発振(CW)レーザによるCLC技術を利用した。本TFTの電流駆動能力は、トツプゲート型のエキシマレーザ結晶化poly-Si TFTの電流駆動能力の8-9倍を有する。さらに、単結晶の(100) SIMOX-TFTよりも大きい。また、89mV/decと小さいS値が得られた。これらの特性は、ガラス基板上への高性能回路の形成を導くものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-09
著者
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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原 明人
(株)富士通研究所
-
吉野 健一
(株)富士通研究所
-
竹内 文代
(株)富士通研究所
-
竹井 美智子
(株)富士通研究所
-
竹内 文代
富士通研
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