3a-R-3 イオン注入されたSiの不純物伝導
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性
-
7a-U-4 p型反転層内の表面量子化による横方向電圧の発生
-
3a-R-3 イオン注入されたSiの不純物伝導
-
金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
-
金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
-
金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般)
-
CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
-
CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
-
CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
-
CWレーザー結晶化のディスプレイデバイスへの応用
-
エキシマレーザアニールpoly-Si膜におけるレーザ照射雰囲気と照射回数が表面モフォロジーに与える影響(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
-
CWラテラル結晶化(CLC)技術による移動度500cm^2/Vsを超える新低温ポリSi TFT技術(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
-
SC-8-4 CWラテラル結晶化(CLC)技術によるガラス基板上高性能TFT
-
レーザ結晶化法によるTFT用Si結晶の成長技術(バルク成長分科会特集 : 種結晶(核)からの結晶成長制御について)
-
DPSS CWレーザを利用したガラス上の選択単結晶シリコン成長とそのトランジスタ特性
-
エキシマレーザ結晶化ポリシリコンの移動度限界
-
エキシマレーザ結晶化ポリシリコンの移動度限界
-
エキシマレーザー結晶化により作成したポリシリコンの結晶因子とTFT特性の関係
-
ソフトエラーシミュレーションシステム
-
低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
-
低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
-
低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
-
低温ポリシリコンTFTを用いた高性能CMOS技術
-
低温ポリシリコンTFTを用いた高性能CMOS技術
-
ガラス/Alメタル基板上のp-Si TFT特性
-
ガラス/Alメタル基板上のp-Si TFT特性
-
ロジックとの混載に適した反転スタックキャパシタ(RSTC)DRAMセル構造の提案
-
C-031 特定用途向け動的再構成回路の演算器精度最適化に関する研究(ハードウェア・アーキテクチャ,一般論文)
-
フィールド酸化膜ストッパ型貼り合わせSOI基板の作製とMOSFETの評価
-
発光素子などで新たな応用展開期に入った導電性ポリマー (特集 機能性材料の開発・応用動向)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク