ガラス/Alメタル基板上のp-Si TFT特性

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概要

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低温ポリシリコンTFT技術は、ガラス基板上で高速回路を構成するため自己発熱が起こり易く特性劣化の要因となる。そのため発熱を抑止する技術が非常に重要になる。本発表では、p-Si TFT素子の対策としてAl薄膜を放熱板としてガラス基板上に形成し、その上にp-Si TFT素子を形成する技術を開発した。Al薄膜の適用は、表面に陽極酸化技術を適用して可能になった。自己発熱はドレイン側でより大きく、熱がAl薄膜で放熱され、到達温度がおさえられることが赤外スコープ、熱解析シミュレータで確認された。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-04-13

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