研磨による層間膜の平坦化
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概要
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シリコンウェハに段差が1.1μmで10μmから5000μmのline and spaceのパターンを形成した。次に、研磨速度の大きいBPSGを堆積後、研磨速度の小さいNSGをウェハ全面に堆積し、長短周期の凹凸パターンが混在したウェハの研磨平坦化を行った。研磨初期には、凹部のNSGはほとんど研磨されずに凸部のNSGが除去される。凹部のNSGは表面段差が滅少するとストッパとして働き、その結果、10-5000μmのlineand spaceのパターンを均一に平坦化できた。また、実デバイスに近いパターンについても研磨速度の違う2層の膜を堆積することに平坦化効果が高まることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-28
著者
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堀江 博
(株)富士通研究所
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有本 由弘
富士通研究所
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鉾 宏真
富士通研究所ulsiプロセス研究部
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堀江 博
富士通研究所、ULSIプロセス研究部
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岸井 貞浩
富士通研究所
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KISHII Sadahiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
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岸井 貞浩
(株)富士通研究所
-
Kishii Sadahiro
Device Integration Technology Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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岸井 貞浩
(株) 富士通研究所
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