KISHII Sadahiro | Fujitsu Laboratories Ltd.
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概要
関連著者
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KISHII Sadahiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
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岸井 貞浩
(株)富士通研究所
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Kishii Sadahiro
Device Integration Technology Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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岸井 貞浩
(株) 富士通研究所
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中村 亘
富士通株式会社
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有本 由弘
富士通研
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ARIMOTO Yoshihiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
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中村 亘
富士通
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Nakamura Ko
Fujitsu Laboratories Ltd.
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有本 由弘
(株)富士通研究所
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中村 亘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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Watanabe Satoru
Fujita Health University
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Hanawa Kenzo
Showa Denko K.K., Minato, Tokyo 105-8518, Japan
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Kurokawa Syuhei
Kyushu University, Fukuoka 836-0395, Japan
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Doi Toshiro
Kyushu University, Fukuoka 836-0395, Japan
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Kurokawa Syuhei
Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan
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Doi Toshiro
Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan
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堀江 博
(株)富士通研究所
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山口 靖英
三井金属鉱業
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有本 由弘
富士通研究所
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鉾 宏真
富士通研究所ulsiプロセス研究部
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堀江 博
富士通研究所、ULSIプロセス研究部
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岸井 貞浩
富士通研究所
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土肥 俊郎
九州大学大学院
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Doi Toshiro
Department Of Mechanical Engineering Graduate School Kyushu University
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Kurokawa Syuhei
Department Of Intelligent Machinery And Systems Kyushu University
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大西 修
九州大学大学院
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山崎 努
九州大学大学院
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黒河 周平
九州大学大学院
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畝田 道雄
九州大学大学院
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Hatada Akiyoshi
Device Integration Technology Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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Arimoto Yoshihiro
Device Integration Technology Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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Arimoto Yoshihiro
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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梅崎 洋二
九州大学大学院
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Doi Toshiro
Department of Education, Saitama University, 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, Japan
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Kurokawa Syuhei
Department of Mechanical Engineering, Kyushu University, Fukuoka 836-0395, Japan
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Nakamura Ko
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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山口 靖英
三井金属鉱業 (株)
著作論文
- 研磨による層間膜の平坦化
- Reconditioning-Free Polishing for Interlayer-Dielectric Planarization
- リサイクルが可能な酸化マンガン研磨剤の開発 (特集 第25回環境賞/環境技術をめぐる最近の動向) -- (第25回環境賞 優良賞)
- Mn_2O_3研磨剤をもちいたSiO_2研磨
- 研磨砥粒が研磨速度と洗浄性に与える影響
- リサイクルが可能な研磨剤
- 環境にやさしいLSIプロセス用研磨技術 (特集 エレクトロニクス業界の最前線--環境保護・リサイクル対策のポイントはここだ!)
- 化学的機械研磨と微細CMOS-LSI (特集:研究開発最前線--マルチメディア/パ-ソナル/ネットワ-ク時代への対応)
- Tungsten Film Chemical Mechanical Polishing Using MnO2 Slurry
- 酸化セリウムとその代替を目指す酸化マンガン系スラリーによるガラス基板の研磨特性とその加工メカニズム
- Mn2O3 Slurry Reuse by Circulation Achieving High Constant Removal Rate
- Mn2O3 Slurry Achieving Reduction of Slurry Waste