Mn_2O_3研磨剤をもちいたSiO_2研磨
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-06-05
著者
-
中村 亘
富士通株式会社
-
中村 亘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
-
有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
-
有本 由弘
富士通研
-
中村 亘
富士通
-
KISHII Sadahiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
岸井 貞浩
(株)富士通研究所
-
Kishii Sadahiro
Device Integration Technology Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
-
有本 由弘
(株)富士通研究所
-
岸井 貞浩
(株) 富士通研究所
関連論文
- ウルトラクリーン酸化で形成した極薄ゲート酸化膜のホットキャリア耐性
- SBTの電気的特性における下地電極の影響
- SBTの電気的特性における下地電極の影響
- 低電圧用センスアンプによるFeRAMの開発(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 薄い酸化膜質のSiウェハ面方位依存性 : 酸化膜の電気的信頼性及び酸化膜構造に与えるウェハ面方位の依存性
- (Bi,Nd)_4Ti_3O_/HfO_2/Si(100)構造の作製と評価(新型不揮発性メモリー)
- デバイス反転型薄層Quasi-SOIパワーMOSFET
- pH制御選択研磨による超薄膜SOI基板の作製
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したQuasi-SOIパワーMOSFET
- 多結晶シリコンとアルミ置換による高アスペクト比ビアプラグの形成技術
- 多結晶シリコンとアルミ置換による微細配線技術
- フィールド酸化膜ストッパ型貼り合わせSOI基板の作製とMOSFETの評価
- 研磨による層間膜の平坦化
- シリコンウェーハのはり合せ技術
- 強誘電体不揮発性メモリー
- Reconditioning-Free Polishing for Interlayer-Dielectric Planarization
- リサイクルが可能な酸化マンガン研磨剤の開発 (特集 第25回環境賞/環境技術をめぐる最近の動向) -- (第25回環境賞 優良賞)
- Mn_2O_3研磨剤をもちいたSiO_2研磨
- 研磨砥粒が研磨速度と洗浄性に与える影響
- 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)
- 酸化膜CMPにおけるウエハ温度のin situモニタリング
- リサイクルが可能な研磨剤
- 環境にやさしいLSIプロセス用研磨技術 (特集 エレクトロニクス業界の最前線--環境保護・リサイクル対策のポイントはここだ!)
- 化学的機械研磨と微細CMOS-LSI (特集:研究開発最前線--マルチメディア/パ-ソナル/ネットワ-ク時代への対応)
- Tungsten Film Chemical Mechanical Polishing Using MnO2 Slurry
- Dielectric SiO Planarization Using MnO Slurry
- 酸化セリウムとその代替を目指す酸化マンガン系スラリーによるガラス基板の研磨特性とその加工メカニズム
- Mn2O3 Slurry Reuse by Circulation Achieving High Constant Removal Rate
- Mn2O3 Slurry Achieving Reduction of Slurry Waste