ウルトラクリーン酸化で形成した極薄ゲート酸化膜のホットキャリア耐性
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概要
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水分および金属不純物を極力低減した超清浄酸化装置を用いて形成した熱酸化膜と従来型ドライ酸化装置で形成した熱酸化膜を用いて、酸化雰囲気が薄い酸化膜の信頼性に与える影響を明らかにしている。超清浄酸化装置で形成された酸化膜は、ホットエレクトロン注入および電圧ストレスによって引き起こされる電子トラップ、ホールトラップ、及び界面準位の生成に対して優れた耐性を有する。これは、酸化炉内の水分濃度を極力低減することにより、酸化膜中のSi-OH結合を少なくでき、その結果WATER-RELATED TRAPが減少したためと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
大見 忠弘
東北大学工学部
-
中村 亘
富士通株式会社
-
森田 瑞穂
東北大学電気通信研究所
-
中村 亘
東北大学工学部電子工学科
-
牧原 康二
東北大学工学部電子工学科
-
中村 亘
富士通
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