四端子デバイスエレクトロニクスが可能にする"しなやかな"情報処理電子システム
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
単体トランジスタを極限まで小さくし, LSIの集積度をどんどん上げていくこと, これが現在のコンピュータハードウェア開発の基本である. しかしこれだけで, 果たして人間のように"しなやかに"ものごとを判断したり, 場合場合に応じて柔軟に適切な行動をとる, こんな情報処理システムができあがるのだろうか. 我々の答えは"NO"である. あらゆる電子システムの基本であるトランジスタそのものの機能を増大し, 基本素子のレベルから"しなやかさ"を導入することが必須であると主張する. 20世紀のエレクトロニクスは, 出力電流を単一の信号入力端子が制御するデバイス, つまりバイポーラトランジスタやMOSトランジスタ等の三端子デバイスによって作り上げられた. 21世紀の"人間としなやかに調和するエレクトロニクス"は, もっと自由度の高いデバイスを基本素子として要求している. つまり, 複数の信号入力端子が協調してその出力電流を決める新しい四端子デバイスである. 本稿では, ニューロンMOSトランジスタ(νMOS)を四端子デバイスの一例としてとらえ, しなやかな情報処理ハードウェアへの可能性を検証する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-25
著者
関連論文
- ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模回路エミュレーション用90nm CMOSマルチコンテクストFPGAの遅延評価(リコンフィギャラブル・アーキテクチャと論理合成,FPGA応用及び一般)
- 表面平滑低損失樹脂を用いた高速信号配線
- 非共振型超音波アクチュエータ駆動精密ステージの位置決め制御における摩擦補償法
- スティックスリップ補償と連続軌跡追従制御に基づく超音波アクチュエータ駆動精密ステージの一制御法
- n^+-、p^+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ(プロセス科学と新プロセス技術)
- シリコン表面の化学反応性に関する量子化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 2段シャワープレート型マイクロ波プラズマエッチャーを用いた多層膜の連続エッチング
- RTN測定の高精度・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件 (情報センシング)
- 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
- 1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討
- シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ポリシー・マネジメントの国際比較
- 高精度CMP終点検出方法の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
- RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
- 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- 高信頼性極薄ゲート酸化膜形成技術
- 電子デバイス製造用クリーンルームにおける室内系統水噴霧加湿の研究 : 第1報-省エネルギー効果の検証
- シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ゲート酸化膜の有機物汚染が与える影響
- カーボン汚染フリー表面クリーニング及びウェハ搬送技術
- 真空装置内での有機物汚染挙動
- フッ素固定式パーフルオロ化合物(PFCs)除害システム
- MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)
- 原子オーダ平坦化ウェハ表面のAFM評価手法及びデータ解析手法(プロセス科学と新プロセス技術)
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- シリコン表面の原子オーダー平坦化技術(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作(プロセス科学と新プロセス技術)
- 減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)_2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発(プロセス科学と新プロセス技術)
- 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 適応オブザーバに基づく次世代露光装置用超精密ステージの静止摩擦補償法
- ラジカル酸化法により形成したSiO_2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- 半導体・平板ディスプレイとそれらの製造設備用樹脂材料の分解抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 電気透析法を用いた使用済み現像液の再生・再利用技術
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューテイング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- リアルタイムオブジェクト分離を行う高機能CMOSイメージセンサ
- リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ
- SPIDER駆動精密ステージの位置決め制御における実験的摩擦補償法
- アンチ･ワインドアップ補償による高速I-P位置制御系の一構成法
- 摩擦モデルに基づく非共振型超音波アクチュエータ駆動精密ステージの一制御法
- 大型液晶ディスプ***ロジェクトが切り開く未来(総合報告)
- High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance(Session 9B : Nano-Scale devices and Physics)
- High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance(Session 9B : Nano-Scale devices and Physics)
- 大規模回路エミュレーション用90nm CMOSマルチコンテクストFPGAの遅延評価(リコンフィギャラブル・アーキテクチャと論理合成,FPGA応用及び一般)
- 大規模回路エミュレーション用90nm CMOSマルチコンテクストFPGAの遅延評価(リコンフィギャラブル・アーキテクチャと論理合成,FPGA応用及び一般)
- 大規模回路エミュレーション用90nm CMOSマルチコンテクストFPGAの遅延評価(リコンフィギャラブル・アーキテクチャと論理合成,FPGA応用及び一般)
- マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体Sr_2(Ta_,Nb_x)_2O_7膜の形成(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成
- 微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究
- 大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
- SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性,AWAD2006)
- SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 4.サブ100nm半導体技術の課題と展望(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 2806 測長 AFM を用いたナノ薄膜マイクロパターンの膜厚精密測定
- 測長AFMを用いたマイクロパターン薄膜の厚さ精密測定
- 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- SOI基板材料の品質評価と技術課題
- ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価
- ウルトラクリーン低温プロセスを用いた高信頼性タンタルゲート完全空乏化SOI MOSFET
- 615 非共振型超音波モータを用いた精密ステージの高速モーション制御
- 非共振型超音波モータを用いた精密ステージの連続軌跡追従制御系の構成法
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ウェハ洗浄溶液のラジカル活性に対する超音波照射の影響
- マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成
- マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成
- マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成
- 技術報告 クリプトンガスを用いたマイクロ波励起高密度プラズマプロセス
- ステンレス表面における微量水分の吸着 -吸着熱および吸着等温式の検討-
- FPD用ガラス基板のエッチャントに関する研究
- 超純水中に残存する痕跡不純物のシリコンウェハへの付着挙動
- 高密度Kr/O_2プラズマで低温成膜したシリコン酸化膜、高密度Kr/O_2プラズマ低温照射CVDシリコン酸化膜の膜質に関する研究
- 金属表面フッ化不動態皮膜の形成と特性