450℃アニールにより低逆バイアス電流n^+p接合の形成

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概要

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イオン注入で形成したn^+p接合において、高温(1000℃)アニールを行った接合にたいして低温(450℃)アニールを行った接合では、逆方向電流が2桁増加するだけではなく順方向電流も1桁増加することが明らかになった。我々はこれら二つの電流増加の原因はイオン注入時に発生した微小欠陥が低温では完全に回復されていないからだと考えている。低温アニール後でも残留する微小欠陥を回復するために、新たに水素ラジカルシンタリングを開発し、順方向、逆方向電流、ともに20%から30%低減することに成功した。その結果、逆方向バイアス5V印加時に3.1x10^-9>A, cm^2と、非常に低い値が得られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-07-26

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