誘導結合プラズマによる酸化膜のエッチング特性
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概要
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次世代ULSI製造において、酸化膜ドライエッチング技術は、下地材料との高選択比化、低ダメージ化及びマイクロローディング効果の無いエッチングが要求される。これらの要求を満たすため誘導結合型プラズマソース(ICP)を用いた酸化膜エッチングについて研究を行った.ICPは、ラングミュラープローブによる測定より10^<11>cm^<-3>以上のプラズマ密度が得られる。選択比向上のパラメータはソースパワーと電極温度である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-17
著者
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