照射ion energyの制御によるTFT gate絶縁膜用PECVD-SiNxの高品質化
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概要
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PECVDによるSiNxの膜質を向上させる上で重要な事は,個々のイオンエネルギーを成膜表面を損傷させない低エネルギーに抑えイオン照射量を増大させる事である。これらの物理量は電極に印加する高周波電力の波形から抽出できる事が知られている。私たちはこの方法を用いて平行平板型PECVD装置で成膜されたSiNxの膜質を研究した。原料ガス中にキャリアガスとしてN2+H2やN2+Arを用いると、個々のイオンエネルギーは低く押さえた上で成膜されるSiNx1分子当たりに使われるイオン照射量(規格化イオン照射量)を増加させる効果があることが判った。その結果基板設定温度250℃の低温で絶縁破壊電圧8.0MV/cmのSiNx薄膜(3000A)を1000AのCr垂直段差部を持つガラス基板上に確実に形成することができた。この膜質の良さはBHFによるエッチング速度の減少によっても確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-16
著者
-
大見 忠弘
東北大学工学部
-
小野 昭一
アルプス電気株式会社
-
小野 昭一
アルプス電気(株)
-
小野 昭一
アルプス電気
-
笠間 泰彦
東北大学工学部電子工学科
-
福田 航一
FRONTEC Inc.
-
福井 洋文
FRONTEC Inc.
-
岩崎 千里
FRONTEC Inc.
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