希ガス原子照射下でのAlリフロー挙動の分子動力学法による検討

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概要

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分子動力学法とコンピュータグラフィックスを用いて、希ガス照射下でのAlリフロー挙動に関する検討を行った。その結果、照射エネルギーが小さい場合は希ガス原子がヴイア内とヴイアから離れた場所とに衝突する際に時間差が生じ、照射エネルギーが大きい場合は希ガス原子はヴィア内とヴィアから離れた場所とにほほ同時に衝突することが明らかとなった。また、基板加熱のみでリフローを行った場合より低温で同じ埋め込みが得られたことから、希ガス原子照射はリフロー温度の低下に寄与することが分かった。さらに、希ガスの照射エネルギーの増加とともに絶縁膜を構成する原子の変位が増加することが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-04-25

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