タンタルゲート電極を用いたSOI MOSFETの閾値制御
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概要
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電源電圧の低下に伴う完全空乏型SOI MOSFETの閾値制御は、ポリシリコンゲートの場合非常に困難になる。電源電圧1Vに対応した閾値制御には、シリコンのバンドギャップ中央に仕事関数を持つ金属が適することを見いだした。そこで本研究ではゲート電極として高融点金属であるタンタルを用い、ウルトラクリーン低温化プロセスを駆使することにより、タンタルとゲート酸化膜界面での反応抑制に成功した。またタンタルゲートSOI MOSFETを実際に試作し、その閾値制御性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
平野 有一
東北大学工学部電子工学科
-
大見 忠弘
東北大学工学部
-
牛木 健雄
東北大学工学部電子工学科
-
島田 久幸
東北大学工学部電子工学科
-
牛木 健雄
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
-
島田 久幸
東北大学工学部電子工学科:東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
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