超低コンタクト抵抗を実現する自然酸化膜フリーコンタクト形成技術

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概要

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ULSIデバイスは、現在に至るまで、微細化により高集積化・高速化を実現してきた。しかし、微細化によるコンタクトホール径の縮小により、コンタクト抵抗が増大し、デバイスの高速化に対し大きな妨げとなりつつある。この問題は、微細なデバイス構造になればなるほど、顕著となる。したがって、超高速・超微細ULSIデバイス実現のためには、金属・半導体接合におけるコンタクト抵抗の減少が必須である。そこで、本研究は、自然酸化膜の形成を完全に抑えた状態で、シリサイド反応をイオンビーム・ミキシング・プロセスを利用し起こさせることにより、超低コンタクト抵抗率を実現した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05

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