自己制限型原子層エッチングのSi面方位依存性

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概要

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Si(100)、(111)、(110)、(211)面の自己制限型原子層エッチングを、高清浄電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ装置を用いて、塩素の吸着と低エネルギーAr^+イオンの照射を交互に繰り返す事により行った。1サイクル当たりの飽和エッチング量は、各面方位ともそれぞれの1原子層厚と簡単な分数の積になり、また、Si表面へラジカル吸着がある場合には、分子吸着のみの場合の約2倍になっている事を見い出した。飽和エッチング量は、各面方位における表面ボンド構造と塩素の吸着サイトを考慮すると、簡単な関係式で表される。原子層エッチング途中のSi表面のXPX観測では、分子吸着のみの場合もラジカル吸着を含む場合もSi^2+>やSi^3+>のピークは見られず、また、塩素の吸着量は約1原子層厚程度であった。
一般社団法人電子情報通信学会の論文
1994-08-18

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