Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_<1-x>Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
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概要
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Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETの低周波雑音特性を, これまでに無い広い範囲の Ge比率 (0.2, 0.5, 0.7) とSi_<1-x>Ge_x膜厚 (2-14nm) について検討した. この結果, Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETは, 通常のSi pMOSFETより低周波雑音を低減できることを明らかにした. また, 特定のバイアス条件下における雑音電力により, Si_<1-x>Ge_x/Siヘテロ構造品質を評価できることを示し, この雑音電力とMOSFETの最大相互コンダクタンスがよく対応さすることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-18
著者
-
松浦 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
-
土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
-
室田 淳一
東北大学電気通信研究所
-
室田 淳一
東北大学
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
Tsuchiya T
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn
-
土屋 敏章
島根大学総合理工学部
-
Tsuchiya T
Department Of Electronics Doshisha University
-
Matsuura T
Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn
-
Tsuchiya Toshiharu
Faculty Of Engineering Shizuoka University
-
Tsuchiya Takenobu
Department Of Electrical Electronics And Information Engineering Kanagawa University
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