バイアス・温度(BT)処理を用いたnMOSFET/SIMOXの特性改善

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 完全空乏型 SOI-MOSFET の埋め込み酸化膜に電界を印加するバックサイドバイアス・温度(BSBT)処理により、基板浮遊に伴う寄生バイボーラ効果が抑制されることを見出した。寄生バイポーラ効果の抑制により、しきい値電圧とドレイン耐圧の異常低下や、ホットキャリア劣化のうちSOI-MOSFETに特有なモードが著しく軽減する。BSBT処理ではゲート酸化膜に電界ストレスが印加されないため、相互コンダクタンスや飽和ドレイン電流などの劣化は生じない。BSBT処理による寄生バイボーラ効果抑制のメカニズムは、埋め込み酸化膜とシリコン活性層の界面に発生した界面準位が再結合中心として働き、ドレイン近傍のインパクト・イオン化現象で発生した過剰正孔が減少したためであると推測される。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-03-10

著者

• 土屋 敏章

  島根大学 総合理工学部

• 小泉 弘

  Ntt通信エネルギー研究所

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部

• 小泉 弘

  Ntt 通信エネルギー研

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部電子制御システム工学科

• 嶋屋 正一

  NTT 通信エネルギー研究所

関連論文

• ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ : 界面トラップ1個1個を検出して評価する
• スタッドバンプ形成時の衝撃応力がデバイス劣化領域に及ぼす影響
• SOI基板材料の品質評価と技術課題
• クオ-タミクロンCMOS/SIMOX LSIの信頼性保証 (特集論文 GHzインタフェ-ス付CMOS/SIMOX技術)
• 積層Viaで終端した配線のEMによる抵抗変化
• Preparation and characterization of epitaxial VO2 films on sapphire using postepitaxial topotaxy route via epitaxial V2O3 films
• Epitaxial growth of La_Ba_MnO_3 thin films on SrTiO_3 and LaAlO_3 substrates by metal-organic deposition process
• Electrical Properties of La_Ca_MnO_3 Thin Films Obtained by Metal-Organic Deposition (MOD) using Excimer Laser and Thermal Annealing
• Large Temperature Coefficient of Resistance in La_Ca_MnO_3 Thin Films Obtained by Metal Organic Deposition Process
• Low Temperature Growth of Epitaxial La_Sr_MnO_3 Thin Films by an Excimer-Laser-Assisted Coating Pyrolysis Process
• Preparation of Epitaxial YBa_2Cu_3O_/CeO_2 Multilayer Films on Yttria-stabilized Zirconia (100) by All-Coating-Pyrolysis Process : Superconductors
• Preparation of PbTiO_3 Thin Films Using a Coating Photolysis Process with ArF Excimer Laser
• Direct Conversion of Metal Acetylacetonates and Metal Organic Acid Salts into Metal Oxides Thin Films Using Coating Photolysis Process with An ArF Excimer Laser
• Direct Conversion of Titanium Alkoxide into Crystallized TiO_2 (rutile) Using Coating Photolysis Process with ArF Excimer Laser
• Effective-Time of Pulsed Photothermal Heating for Polycrystalline Nucleation of Perovskite Oxide Films from an Amorphous Matrix
• Low-temperature fabrication of red phosphor Ca0.997Pr0.002TiO3 thin film using excimer laser assisted metal organic deposition
• SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性
• SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化
• SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生
• BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET
• Low-Frequency Noise in Si_Ge_x p-Channel Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors : Semiconductors
• Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/Siヘテロ構造品質との対応
• Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
• Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
• 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
• 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
• SOI CMOSデバイス
• SOI CMOSの現状と展望
• SOI CMOSの現状と展望
• SOI CMOSの現状と展望
• PbSnCaTe Films and PbSnCaTe/PbSnTe Superlattices Prepared by Molecular Beam Epitaxy(Semiconductors)
• PbCaTe Films and PbCaTe/PbTe Superlattices Prepared by Hot-Wall Epitaxy
• Crystal Sructure of Zirconium Oxide Deposited as Thin Films from Zr-acetylacetonate and Zr-ter-butoxide by Laser Chemical Vapor Deposition Technique
• Crystal Structures of the TiO_2 Films on the Quartz Substrate and the Powder formed in the Gaseous Phase by ArF Laser Photolysis of Ti(O-i-C_3H_7)_4
• Epitaxial growth of La0.7Ba0.3MnO3 thin films on SrTiO3 and LaAlO3 substrates by metal-organic deposition (Special issue: Solid state devices and materials)
• バイアス・温度(BT)処理を用いたnMOSFET/SIMOXの特性改善
• Properties and Degradation of Polarization Reversal of Soft BaTiO_3 Ceramics for Ferroelectric Thin-Film Devices
• Influence of Doping Gradient near a Channel End on Parasitic Series Resistance of Thin-Film Fully-Depleted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
• Body-Charge-Induced Switching Characteristics in Fully Depleted Silicon-on-Insulator Digital Circuits
• Improving the Characteristics of Ultra-Thin-Film Fully-Depleted Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors on SIMOX (Separation by IMplanted OXygen) by Selective Tungsten Deposition on Source and Drain Region
• 300-kilo-Gate Sea-of-Gate Type Gate Arrays Fabricated Using 0.25-μm-Gate Ultra-Thin-Film Fully-Depleted Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Separation by IMplanted OXygen (CMOS/SIMOX) Technology with Tungsten-Covered Source and Drain
• スタッドバンプ形成時の衝撃応力がデバイス劣化領域に及ぼす影響
• Numerical Analysis of Underwater Acoustic Lens Using Wide-Angle Parabolic Equation Method
• Preparation and Characterization of Ferroelectric BaTi_(Hf_ Zr_)_O_3 Thin Films by Sol-Gel Process Using Titanium and Zirconium Alkoxides
• Search for Objects on the Deep-Sea Floor Using Side Scan Sonar with a Tilted Arrangement Transducer Array
• Sea Trial Results of a Cross Fan Beam Type Sub-Bottom Profiler
• Evaluation of the Performance of Deep Sea Survey Sonars from the Results of Search for a Sunken Ship
• Si-NMOSFETのキャリア熱速度の計算 : チャネル不純物濃度, backscattering係数,並びにチャネルSi膜厚依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
• 部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 低消費電カ・高速CMOS/SOIテバイス技術
• Wide-Angle Parabolic Equation Solution of Ocean Acoustic Propagation with Lossy Penetrable Bottom
• Numerical Analysis of Acoustical Propagation in Ocean with Warm and Could Water Mass Used by The Three-Dimensional Wide-Angle Parabolic Equation Method
• Three-Dimensional Ray Simulation of Sound Propagation in Ocean with a Geostrophic Current
• Numerical Analysis of Acoustical Propagation Characteristics in Central Equatorial Pacific Ocean with Ridges of Seabed Used by Three-Dimensional Parabolic Equation Method
• Basic Study of Properties of Planate Acoustic Lens Constructed with Phononic Crystal Structure (Special Issue : Ultrasonic Electronics)
• Transmission electron microscopy study on the effects of the ultrasound contrast agent Levovist on hepatic cells

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク