部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

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概要

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• 部分空乏型SOI MOSFETのボディー電位は、ダイオード電流に影響されることが知られている。本報告では、微少なダイオード電流をドリフトー拡散模型に基づいて計算する際に生じる、丸め誤差に由来する問題について検討する。電子並びに正孔の濃度分布のみを倍精度実数の配列としてあらわに取り扱う標準的な計算方法では、電流密度の絶対値が30μA/cm^2程度以下になると、その空間分布に異常が見られることが分かった。この異常はソース並びにドレイン内部の高不純物濃度層に局在しており、一方のボディー内部では異常が見られないことが分かった。また、両キャリアの濃度分布に併せて、電荷密度分布並びに両キャリアの濃度勾配分布(濃度差分布)を倍精度実数の配列としてあらわに過渡計算することによって、異常をある程度抑制できることが分かった。これらの結果は、部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法を考える上で、重要な判断材料を提供するものと考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-08-14

著者

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部電子制御システム工学科

• 土屋 敏章

  島根大学大学院総合理工学研究科電子制御システム工学専攻

• 宝玉 充

  島根大学大学院総合理工学研究科電子制御システム工学専攻

• 宝玉 充

  島根大学大学院総合理工学研究科電子制御システム工学専攻:セイコーエプソン株式会社ic技術開発部

• 土屋 敏章

  島根大学大学院総合理工学研究科

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