部分空乏型SOI MOSFETの電流駆動能力の向上 : ボディー端子制御型の容量性結合
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概要
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本報告では、部分空乏型SOI MOSFETの基板浮遊効果について、特に電流駆動能力に与える影響を詳細に検討する。さらに、その検討の結果をふまえた上で、ボディー・タイド・トウー・ソース操作でのボディーあるいはボディー・コンタクトの抵抗が高い場合に生じる過渡的な容量性結合に着目し、それによる電流駆動能力の向上の原理を説明する。併せて、その原理を具現化させるためのデバイス構造例を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-14
著者
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