宝玉 充 | 島根大学大学院総合理工学研究科電子制御システム工学専攻:セイコーエプソン株式会社ic技術開発部

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概要

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• 同名の論文著者
• 島根大学大学院総合理工学研究科電子制御システム工学専攻:セイコーエプソン株式会社ic技術開発部の論文著者

関連著者

• 宝玉 充

  島根大学大学院総合理工学研究科電子制御システム工学専攻:セイコーエプソン株式会社ic技術開発部

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部電子制御システム工学科

• 土屋 敏章

  島根大学大学院総合理工学研究科電子制御システム工学専攻

• 宝玉 充

  セイコーエプソン(株)

• 土屋 敏章

  島根大学大学院総合理工学研究科

• 宝玉 充

  島根大学大学院総合理工学研究科電子制御システム工学専攻

著作論文

• Si-NMOSFETのキャリア熱速度の計算 : チャネル不純物濃度, backscattering係数,並びにチャネルSi膜厚依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
• 部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 部分空乏型SOI CMOSのヒストリー効果の分類 : 擬似的完全空乏型動作(先端CMOS及びプロセス関連技術)
• 部分空乏型SOI MOSFETの電流駆動能力の向上 : ボディー端子制御型の容量性結合

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