大粒径低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおけるチャージポンピング特性とMOS界面に関する考察(半導体材料・デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおけるMOS界面付近の電気的特性を理解するために,MOS界面トラップの高精度評価法であるチャージポンピング(CP)法を用いて測定を行った.測定の結果,測定中のゲートパルスに対する周波数応答が,低周波数部において,TFTでは単結晶シリコンMOSFETのものより劣っていることが分かった.また,単結晶シリコンMOSFETと異なり,CP電流の値がゲート寸法と比例関係にないことが分かった.これらの実験結果に基づいて,MOS界面トラップの平面的空間分布状態に関するモデルを考え,その妥当性についても検討した.その結果,チャネル領域上の界面トラップの空間密度が不均一であり,界面トラップの高密度な領域が散在していることが分かった.また,この界面トラップの高密度領域は粒界の合流点(三重点)に対応していると推測される.
- 2011-08-01
著者
関連論文
- Si-NMOSFETのキャリア熱速度の計算 : チャネル不純物濃度, backscattering係数,並びにチャネルSi膜厚依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- 部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 大粒径低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおけるチャージポンピング特性とMOS界面に関する考察(半導体材料・デバイス)