SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生
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概要
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It is reported for the first time that hot-carrier-induced degradation occurs in a SiGe/Si heterostructure introduced into the channel region of SiGe/Si-hetero-MOSFETs, using a newly established elaborate low-temperature charge pumping (LTCP) technique. Moreover, the hetero-interface trap density generated and the width of the degraded region are estimated from the LTCP characteristics. These results will enable new levels of improvement to the performance and reliability of strained-Si and SiGe devices.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2006-09-01
著者
-
土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
-
室田 淳一
東北大学電気通信研究所
-
櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
室田 淳一
東北大学
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
櫻庭 政夫
東北大学
-
Tsuchiya T
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn
-
土屋 敏章
島根大学総合理工学部
-
Tsuchiya T
Department Of Electronics Doshisha University
-
Tsuchiya Toshiharu
Faculty Of Engineering Shizuoka University
-
Tsuchiya Takenobu
Department Of Electrical Electronics And Information Engineering Kanagawa University
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