プラズマCVD法によるa-SiC:H/SiO_2積層形偏光分離素子の高性能化の検討
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概要
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1.3μm帯以上の波長で動作するa-SiC:H / SiO_2積層形偏光分離素子のプラズマCVD法による作製プロセスを改良し, 積層膜面の平たん性を1けた以上向上させた.また, 分離角拡大のために, CF_4導入によりSiO_2の屈折率を1.37まで低下できることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-25
著者
-
川上 彰二郎
東北大学電気通信研究所
-
吉田 浩章
東北大学電気通信研究所
-
花泉 修
東北大学電気通信研究所
-
川嶋 貴之
東北大学電気通信研究所
-
室田 淳一
東北大学電気通信研究所
-
室田 淳一
東北大学
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
花泉 修
群馬大学大学院工学研究科
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