光励起されたMQW面型光増幅器について
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概要
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光励起された半導体多重量子井戸による面型光増幅の提案と,利得特性,熱特性の解析を行う。面型光増幅器の長所,電流注入による実現の困難性をのべ,光励起によりそれが解決されることを示す。つづいて,4元系MQWの実例をもとに,1層あたりの利得を大きくするための方策を検討し,歪み格子の利用,選択ドーピングを行うことが有用であることを示す。熱解析においては,電力利得eを得るための温度上昇が10〜40K程度であることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-17
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