スパッタリング法による希土類ドープTa_2O_5薄膜の作製とその発光特性の評価(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
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概要
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スパッタリング法によりEuドープTa_2O_5薄膜を成膜し,アニール後,波長600nm,620nm,650nm及び700nm付近の4つの発光ピークが発現することを確認した.特に波長620nm付近の発光ピークが優勢であり,肉眼では赤色もしくは橙色の発光として観察できた.更に,4つの発光ピークの強度のアニール温度依存性を調べ,波長620nm付近の発光ピークについては,アニール温度700℃とした場合に強度が最大となることがわかった.
- 2011-12-09
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