スパッタリング法によるErドープTaO_x薄膜の作製とその発光特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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rfスパッタリングによりErドープTaO_x薄膜を成膜し,アニール後,波長550nm及び670nm付近の2つの発光ピークが発現することを確認した.他の手法で作製されたErドープTaO_xと同様,波長550nm付近の発光ピークが優勢であり,肉眼では緑色発光として観察することができた.更に,Er濃度0.96mol%程度,アニール温度900℃,アニール時間20分とした場合が,波長550nm付近のピーク強度が最大となることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-08-13
著者
-
三浦 健太
群馬大学大学院工学研究科
-
花泉 修
群馬大学大学院工学研究科
-
狩野 一総
群馬大学大学院工学研究科
-
伏木 厳穣
群馬大学大学院工学研究科
-
シン マヤンク
群馬大学大学院工学研究科
-
花泉 修
群馬大学 大学院工学研究科
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