RFスパッタリングによるアモルファスSi/SiO_2超格子構造の作製とその発光特性(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
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概要
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RFスパッタリングによりアモルファスSi/SiO_2超格子を形成した.Si層及びSiO_2層の厚さを制御することによりSiクラスターのサイズを変えた試料を作製し,その光学特性を比較検討した.試料の赤色発光ピークは,1100℃のアニールにより,Siの含有量に対して低エネルギー側(長波長側)にシフトする傾向を見せた.また,1150〜1250℃のアニールによって,室温で紫外域の発光が発現することを見出した.紫外域におけるフォトルミネッセンス(PL)のピークの位置は3.4eV(波長0.37μm),半値全幅(FWHM)は0.20eVであった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-02-10
著者
-
加藤 裕司
群馬大学
-
三浦 健太
群馬大学工学部
-
三浦 健太
群馬大学大学院工学研究科
-
花泉 修
群馬大学大学院工学研究科
-
種村 豪
群馬大学大学院工学研究科
-
星野 ひとみ
群馬大学
-
加藤 裕司
群馬大学大学院工学研究科
-
星野 ひとみ
群馬大学大学院工学研究科
-
花泉 修
群馬大学工学部
-
花泉 修
群馬大学 大学院工学研究科
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