高周波スパッタリングによる紫外発光Si/SiO_2多層膜の作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人照明学会の論文
- 2008-02-01
著者
-
加藤 裕司
群馬大学
-
三浦 健太
群馬大学工学部
-
三浦 健太
群馬大学大学院工学研究科
-
花泉 修
群馬大学大学院工学研究科
-
花泉 修
群馬大学 工学部 電気電子工学科
-
星野 ひとみ
群馬大学
-
花泉 修
群馬大学 大学院工学研究科
-
三浦 健太
群馬大学 大学院工学研究科
関連論文
- プラズマCVD法によるa-SiC:H/SiO_2積層形偏光分離素子の高性能化の検討
- 自己クローニング型フォトニック結晶の波長フィルターへの応用(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 自己クローニング型フォトニック結晶の波長フィルターへの応用
- C-3-49 自己クローニング型フォトニック結晶による光アド・ドロップマルチプレクサ(フォトニック結晶)(C-3.光エレクトロニクス)
- 自己クローニング型フォトニック結晶導波路の低損失化(光エレクトロニクス)
- C-3-50 自己クローニング型フォトニック結晶によるインライン型High-Q共振器(フォトニック結晶)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-46 ヘテロ構造フォトニック結晶導波路への Bragg 反射機能の付与
- プロトンビーム描画による波長1.5μm帯用シングルモードPMMA導波路(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- シリコンイオンを注入した石英板からの青色発光帯の観測
- 光デバイス用任意次元フォトニック結晶の創製と応用 (特集 3次元マイクロ構造の創製と応用)
- Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- EMD2000-45 / CPM2000-60 / OPE2000-57 / LQE2000-51 Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- EMD2000-45 / CPM2000-60 / OPE2000-57 / LQE2000-51 Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- EMD2000-45 / CPM2000-60 / OPE2000-57 / LQE2000-51 Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- EMD2000-45 / CPM2000-60 / OPE2000-57 / LQE2000-51 Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- C-3-43 自己クローニング法により作製したコア平坦型フォトニック結晶導波路の低損失化
- C-3-96 波長 400nm 用フォトニック結晶偏光子の設計と作製
- 厚い異方性格子における偏光回折特性の結合波解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 厚い異方性格子における偏光回折特性の結合波解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 厚い異方性格子における偏光回折特性の結合波解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 厚い異方性格子における偏光回折特性の結合波解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ヘテロ構造フォトニック結晶の導波型光デバイスへの応用
- 自己クローニングフォトニック結晶の面内伝搬応用
- 自己クローニングフォトニック結晶の面内伝搬応用
- 自己クローニングフォトニック結晶の面内伝搬応用
- 自己クローニングフォトニック結晶の面内伝搬応用
- 自己クローニングによるフォトニック結晶の作製とデバイス応用技術
- SC-4-11 自己クローニング型フォトニック結晶とその応用素子の現状
- 可視光域フォトニック結晶の作製と複屈折素子への応用
- 可視域透明材料からなるホトニック結晶の作製
- 可視域透明材料からなるホトニック結晶の作製
- C-3-8 可視光域透明材料からなるフォトニック結晶の作製
- C-3-138 PLC集積アイソレータにおける回折損失の低減化構造
- 自己クローニングによる3次元フォトニック結晶の作製と応用
- 自己クローニングによる3次元フォトニック結晶の作製と応用
- Si/SiO_2系サブミクロン周期3Dフォトニック結晶の作製と観察
- 自己クローニングによる3Dフォトニック結晶のプロセス・導波技術
- 積層形偏光分離素子の2次元光回路へのハイブリッド集積
- 積層形偏光分離素子の2次元光回路へのハイブリッド集積
- Si/SiO_2系サブミクロン3次元フォトニック結晶の作製、評価と伝搬特性の解析
- Si/SiO_2系サブミクロン3次元フォトニック結晶の作製、評価と伝搬特性の解析
- Si/SiO_2系サブミクロン3次元フォトニック結晶の作製、評価と伝搬特性の解析
- Si/SiO_2系サブミクロン3次元フォトニック結晶の作製、評価と伝搬特性の解析
- Si/SiO_2系サブミクロン周期 3D フォトニック結晶の作製と観察
- Si/SiO_23次元サブミクロン周期構造 : 作製と応用について
- Si/SiO_23次元サブミクロン周期構造 : 作製と応用について
- Si/SiO_2系サブミクロン周期3Dフォトニック結晶の作製と観察
- Si/SiO_2系サブミクロン周期3Dフォトニック結晶の作製と観察
- 感光性ポリシランを用いた低消費電力熱光学素子(光波センシング, 光波制御・検出, 光計測, ニューロ, 一般)
- Si:SiO_2スパッタ膜におけるバンドギャップエネルギーに依存しない青色発光帯
- C-3-66 Al_2O_3をコアに用いた可変光導波路の検討(C-3. 光エレクトロニクス(導波路デバイス2), エレクトロニクス1)
- CdSの3次元フォトニック結晶中への取り入れ技術と評価について
- 3次元フォトニック結晶へのCdSの取入れ
- 3次元フォトニック結晶へのCdSの取入れ
- 自己クローニング型フォトニック結晶の波長フィルターへの応用(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- プロトンビーム描画による光導波路デバイス形成の基礎検討 (光エレクトロニクス)
- 自己クローニングフォトニック結晶の面内伝搬応用
- C-3-57 フォトニック結晶と機能材料の複合技術
- 3次元フォトニック結晶へのIIIV族化合物半導体活性層の埋込み
- スパッタリング法によるErドープTaO_x薄膜の作製とその発光特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スパッタリング法によるErドープTaO_x薄膜の作製とその発光特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スパッタリング法によるErドープTaO_x薄膜の作製とその発光特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スパッタリング法によるErドープTaO_x薄膜の作製とその発光特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高周波スパッタリングによる紫外発光Si/SiO_2多層膜の作製
- スパッタリング法により作製したタンタル酸化物薄膜からの青色発光の観測(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- フォトニック結晶構造の導入によるSi:SiO_2スパッタ膜の発光効率向上
- Si:SiO_2共スパッタ膜の発光起源の一検証とデバイス応用の検討(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- Si:SiO_2共スパッタ膜の発光起源の一検証とデバイス応用の検討(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- Si:SiO_2共スパッタ膜の発光起源の一検証とデバイス応用の検討
- プラズマCVD法による波長1.3μm帯用積層型偏光分離素子の作製
- 光励起MQW面型光増幅器の作製
- 光励起面型光増幅器の作製と評価
- Ti:SiO_2スパッタ膜からの青色発光の観測
- C-4-16 半導体や金属を分散した SiO_2 スパッタ膜の発光特性
- アニールをしないSi:SiO_2スパッタ膜からの青色発光
- RFスパッタリングによるアモルファスSi/SiO_2超格子構造の作製とその発光特性(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- InGaAs/InGaAlAs系MQW面形光増幅器の高利得化の検討
- 光励起MQW面型光増幅器
- 光励起MQW面型光増幅器の高利得化
- 光励起面型光増幅器の高利得化
- プロトンビーム描画による光導波路デバイス形成の基礎検討(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 光励起されたMQW面型光増幅器について
- ハイブリッド集積用の回路素子としてのTECファイバの諸特性
- 高周波スパッタリングによるCdS系2次元フォトニック結晶の作製と発光特性の評価
- 可視光域フォトニック結晶の作製と複屈折素子への応用
- スパッタリング法による希土類ドープTaO薄膜の作製とその発光特性の評価 (光エレクトロニクス)
- スパッタリング法による希土類ドープTa_2O_5薄膜の作製とその発光特性の評価(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
- スパッタリング法による希土類ドープTa_2O_5薄膜の作製とその発光特性の評価
- フォトニック結晶とその応用 (特集 先進技術と材料)
- 複合集積型光デバイスにおけるTECファイバ間の接続損失