InGaAs/InGaAlAs系MQW面形光増幅器の高利得化の検討
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概要
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1.55μm帯の波長で動作するInGaAs / InGaAlAs系MQW光励起面形光増幅器のMBE法による作製プロセスを改良し, 面形のシングルパス利得としては我々の知る限り最高の3.1dBを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-25
著者
-
川上 彰二郎
東北大学電気通信研究所
-
花泉 修
東北大学電気通信研究所
-
花泉 修
群馬大学大学院工学研究科
-
川瀬 賢司
東北大学電気通信研究所
-
桜井 康樹
東北大学電気通信研究所
-
土岐 和啓
東北大学電気通信研究所
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