NH_3によるSi表面の低温熱窒化
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概要
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高清浄LPCVD装置を用いて、NH_3(124〜1400Pa)による300〜650℃でのSi表面への低温熱窒化について研究を行なった。300℃、400℃におけるNH_3窒化では、希HF処理後の水素終端したSi表面では、N原子面密度はSiハイドライドの減少にともなって増加し、N原子面密度がSi表面原子密度(6.8×10^<14>cm^<-2>と同程度に達すると、Siハイドライドは観察されなくなった。一方、650℃のAr雰囲気中で熱処理を行なった清浄Si表面では、N原子面密度がNH_3供給直後に約2×10^<14>cm^<-2>まで増加すると同時に、Siハイドライドが観察され、MH_3分子が解離吸着していることが明らかになった。さらにNH_3を供給すると、窒化の進行とともにSiハイドライドは減少した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-26
著者
-
渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
松浦 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
-
室田 淳一
東北大学電気通信研究所
-
渡辺 健
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
室田 淳一
東北大学
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
櫻庭 政夫
東北大学
-
Matsuura T
Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn
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