櫻庭 政夫 | 東北大学
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概要
関連著者
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室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
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櫻庭 政夫
東北大学
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室田 淳一
東北大学
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室田 淳一
東北大学電気通信研究所
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櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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松浦 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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Matsuura T
Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn
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土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
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Tsuchiya T
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn
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Tsuchiya T
Department Of Electronics Doshisha University
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Tsuchiya Toshiharu
Faculty Of Engineering Shizuoka University
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Tsuchiya Takenobu
Department Of Electrical Electronics And Information Engineering Kanagawa University
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土屋 敏章
島根大学総合理工学部
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大見 俊一郎
東京工業大学
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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山崎 崇
ソニー株式会社
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渡辺 健
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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盛田 伸也
東京工業大学総合理工学研究科
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山崎 崇
東京工業大学総合理工学研究科
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大理 洋征龍
東京工業大学総合理工学研究科
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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酒井 徹志
東京工業大学総合理工学研究科
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酒井 徹志
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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小野 昭一
東北大学電気通信研究所
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伊東 良太
東北大学
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瀬尾 高広
東北大学
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武藤 大祐
東北大学
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森 聖樹
東北大学
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菅原 勝俊
東北大学
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竹廣 忍
東北大学電気通信研究所
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島宗 洋介
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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伊是名 篤志
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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小林 信一
東京工芸大学工学部電子工学科
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御子柴 宣夫
東京工芸大学工学部
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小林 信一
東京工芸大学工学部
著作論文
- NH_3におよるSi(100)の原子層熱窒化過程
- NH_3によるSi表面の低温熱窒化
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ナノメートルオーダ歪SiGe/Si(100)ヘテロ構造によるホール共鳴トンネルダイオードの製作と高性能化
- SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性
- ECRプラズマCVDによるIV族半導体エピタキシャル成長
- SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化
- SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生
- BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET
- SiGe系エピタキシャル成長とその原子層制御
- CVD Si1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御
- 研究紹介 CVD法によるSi1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御
- CVD Si_Ge_xエピタキシャル成長とドーピング制御 : Si半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 高清浄減圧CVD法を用いたPH_3によるSi(100)およびGe(100)表面でのPの原子層吸着
- Si(100)表面でのCH_4の低温反応
- 高清浄雰囲気下での熱CVD法によるSi上のGe成長初期過程
- Si(100)表面ダイマー構造の大気中での安定性