高清浄減圧CVD法を用いたPH_3によるSi(100)およびGe(100)表面でのPの原子層吸着
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概要
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高清浄減圧CVD法を用いて200-750℃でのSi(100)ならびにGe(100)表面でのPの原子層吸着について調べた。300℃において水素終端されたSi表面上では、PH_3の吸着が阻害されたが、水素のない表面では解離吸着し、P原子面密度は1原子層以下に飽和する傾向があった。450-750℃では、Si表面のP原子面密度は、キャリアガスによる影響をほとんど受けずに約2-3原子層に飽和する傾向があった。650℃でPH_3曝露後、Pが吸着したSi表面をArあるいはH_2雰囲気中に保持すると、P原子面密度はPの熱脱離や水素還元により約l原子層に減少した。Ge表面の場合、200℃でPH_3吸着は水素終端により阻害され、300-450℃ではP原子面密度は約l原子層に飽和する傾向があった。450℃でのGe表面からのPの脱離は650℃のSi表面からよりもより早く起こる一方、300℃ではGe表面のPは脱離せず安定であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-27
著者
-
松浦 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
-
室田 淳一
東北大学電気通信研究所
-
櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
室田 淳一
東北大学
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
櫻庭 政夫
東北大学
-
島宗 洋介
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
Matsuura T
Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn
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