Si(100)表面でのCH_4の低温反応

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概要

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高清浄ホットウォール縦型減圧CVD装置を用いて、Si(100)エピタキシャル表面でのCH_4の低温反応について、500〜750℃、50〜1600Paの領域で研究を行った。CH_4をSi表面にさらすと650℃以上の反応温度ではCがSi内部へ拡散しSiCが形成された。600℃では、60分以下でCはSi内部に拡散せずSi表面のみにSiCが形成された。また、RHEED観察により[001]方向にSiに対する4倍周期構造が観察された。4倍周期構造は拡散が始まる120分のCH_4曝露では消滅し、SiCのストリークが現れた。CH_4のSi表面での反応にはCH_4圧力依存性があるが、550℃以下の低温では、Si表面に付着したCの原子面密度はCH_4圧力と曝露時間の積で規格化でき、C原子面密度はラングミュア型の吸着式でよく近似された。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-08-26

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