室田 淳一 | 東北大学電気通信研究所

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概要

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• 東北大学電気通信研究所の論文著者

関連著者

• 室田 淳一

  東北大学電気通信研究所

• 室田 淳一

  東北大学 電気通信研究所

• 室田 淳一

  東北大学

• 松浦 孝

  東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設

• Matsuura T

  Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn

• 櫻庭 政夫

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 櫻庭 政夫

  東北大学

• 澤田 康次

  東北大学電気通信研究所

• 土屋 敏章

  島根大学 総合理工学部

• Tsuchiya T

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部

• Tsuchiya T

  Department Of Electronics Doshisha University

• Tsuchiya Toshiharu

  Faculty Of Engineering Shizuoka University

• Tsuchiya Takenobu

  Department Of Electrical Electronics And Information Engineering Kanagawa University

• 川上 彰二郎

  東北大学電気通信研究所

• 山本 裕司

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 花泉 修

  東北大学電気通信研究所

• 後藤 欣哉

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石田 彰一

  森田化学工業株式会社

• 宮本 光雄

  森田化学工業株式会社

• 橋場 祥晶

  東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設

• 後藤 欣哉

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 石田 彰一

  森田化学工業株式会社:東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設

• 橋場 祥晶

  東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設:日立国際電気

• 大見 俊一郎

  東京工業大学

• 渡辺 健

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大見 俊一郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 山崎 崇

  ソニー株式会社

• 大見 忠弘

  東北大学工学部

• 渡辺 健

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 盛田 伸也

  東京工業大学総合理工学研究科

• 山崎 崇

  東京工業大学総合理工学研究科

• 大理 洋征龍

  東京工業大学総合理工学研究科

• 尾身 博雄

  日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所

• 酒井 徹志

  東京工業大学総合理工学研究科

• 花泉 修

  群馬大学大学院工学研究科

• 酒井 徹志

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻

• 大見 俊一郎

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 本間 文孝

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 高橋 功

  東北大学電気通信研究所

• 鈴江 孝司

  東北大学電気通信研究所

• 中島 康治

  東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設

• 佐藤 茂雄

  東北大学電気通信研究所

• 吉田 浩章

  東北大学電気通信研究所

• 川嶋 貴之

  東北大学電気通信研究所

• 佐藤 尚

  東北大学電気通信研究所

• 小野 昭一

  東北大学電気通信研究所

• 大野 潤

  東北大学 電気通信研究所

• 竹廣 忍

  東北大学電気通信研究所

• 島宗 洋介

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 伊是名 篤志

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 小林 信一

  東京工芸大学工学部電子工学科

• 御子柴 宣夫

  東京工芸大学工学部

• 清野 拓哉

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 杉山 剛之

  東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設

• 前田 孝浩

  東北大通研

• 石井 真

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 藤本 浩章

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 松補 孝

  東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設

• 高澤 裕真

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 李 慵基

  東北大学電気通信研究所

• 季 慵基

  東北大学電気通信研究所

• 大野 潤

  東北大学電気通信研究所

• 前田 孝浩

  東北大学電気通信研究所

• 高澤 裕真

  日立国際電気

• 西村 聡彦

  東北大学電気通信研究所

• 中島 康治

  東北大学電気通信研究所

• 小林 信一

  東京工芸大学工学部

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著作論文

• プラズマCVD法によるa-SiC:H/SiO_2積層形偏光分離素子の高性能化の検討
• NH_3におよるSi(100)の原子層熱窒化過程
• NH_3によるSi表面の低温熱窒化
• 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化
• SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生
• BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET
• SiGe系エピタキシャル成長とその原子層制御
• CVD Si_Ge_xエピタキシャル成長とドーピング制御 : Si半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 高清浄減圧CVD法を用いたPH_3によるSi(100)およびGe(100)表面でのPの原子層吸着
• Si(100)表面でのCH_4の低温反応
• 高清浄雰囲気下での熱CVD法によるSi上のGe成長初期過程
• Si(100)表面ダイマー構造の大気中での安定性
• Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/Siヘテロ構造品質との対応
• Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
• バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_xC_y膜のエッチング特性
• Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
• バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_XC_y膜のエッチング特性
• Siの原子層プラズマ窒化におけるラジカルとイオンの寄与
• WF_6-SiH_4系によるSi表面でのW低温選択成長の初期過程
• WF_6-SiH_4系によるWの低温選択成長初期過程
• ECRプラズマによるSi-Ge系の原子層エッチング
• Wの低温選択成長とその初期過程
• 1.55μm帯および1.3μm帯用積層形偏光分離素子の作製
• LPCVD法によるSi_Ge_xエピタキシャル成長におけるPおよびBドーピング
• バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_xC_y膜のエッチング特性
• プラズマCVD法による波長1.3μm帯用積層型偏光分離素子の作製
• 高清浄CVD法によるBドープSi_Ge_x薄膜の形成
• 選択Si_Ge_x CVDによる自己整合極浅接合形成と超微細MOSFETの製作
• A-Dコンバータを例とした非対称結合神経回路の構成とその集積化
• 低エネルギーイオン照射によるSiの原子層エッチング
• 自己制限型原子層エッチングのSi面方位依存性
• シリコンの自己制限型原子層エッチング

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